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- [实用新型]背接触式太阳能电池-CN201620021387.3有效
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张为国;刘超;张松;刘成法;陈寒;季海晨;夏世伟
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上海大族新能源科技有限公司
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2016-01-11
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2016-06-15
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H01L31/04
- 其包括N型硅片主体，N型硅片主体具有相对的受光面和背光面，背光面上设置有第一发射区和P+发射区，第一发射区为N+发射区和N++发射区，第一发射区与P+发射区交替排布；N++发射区远离N型硅片主体的一侧设置有N型金属，N型金属的另一侧设置有N型区焊接电极，N型金属分别与N++发射区、N型区焊接电极为点接触；P+发射区远离N型硅片主体的一侧设置有P型金属，P型金属上设置有P型区焊接电极；P型金属远离N型硅片主体的一侧端部设置有绝缘介质，绝缘介质隔离P+发射区与N型区焊接电极。由于N型金属分别与N++发射区、N型区焊接电极为点接触，能够降低N型金属浆料的消耗，从而降低成本。
- 接触太阳能电池
- [实用新型]一种发射器玩具-CN202320255315.5有效
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谢国华;谢幼兰
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广州灵动创想文化科技有限公司
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2023-02-17
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2023-07-21
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A63H1/00
- 本实用新型涉及一种发射器玩具，包括Y型发射器，所述Y型发射器的一端设有U型发射位，所述Y型发射器中可滑动地设有弹射夹持件，所述弹射夹持件的一端伸出所述U型发射位并设有夹持部，所述夹持部用于夹持所述陀螺；所述Y型发射器内安装有驱动组件和自动卷线器，所述驱动组件的部分伸进所述U型发射位并与所述陀螺传动连接，所述自动卷线器与所述驱动组件传动连接，且所述自动卷线器缠绕设置有线绳，所述线绳的末端伸出所述Y型发射器的外部并固定连接有拉环本实用新型所述的发射器玩具，其设计新颖，将Y型发射器的造型与陀螺玩耍的功能相结合，可通过拉环带动陀螺旋转，提高了发射器玩具的可玩性和趣味性。
- 一种发射器玩具
- [发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202310430492.7有效
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林青;张杰
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上海陆芯电子科技有限公司
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2023-04-21
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2023-06-23
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H01L29/739
- 本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管。该逆导型绝缘栅双极型晶体管包括至少一个元胞，每一个元胞包括：集电区，集电区包括P型集电区和N型集电区；N型缓冲区覆盖P型集电区和N型集电区；导电接触孔位于P型集电区和N型集电区之间，从集电区延伸至N型缓冲区的部分区域；N型漂移区位于N型缓冲区远离集电区的一侧；P型体区位于N型漂移区远离N型缓冲区的一侧；发射区包括P型发射区和N型发射区，P型发射区包围N型发射区设置；沟槽栅结构位于N型发射区内，贯穿N型发射区且从N型发射区、经由P型体区延伸至N型漂移区的部分区域。本发明实施例提供的技术方案避免了逆导型绝缘栅双极型晶体管在正向导通时出现电压回转现象。
- 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
- [实用新型]一种激光清洗机用激光发射枪-CN202023280305.2有效
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刘海波
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上海时颖激光科技有限公司
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2020-12-30
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2021-11-02
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B08B7/00
- 本实用新型提供了一种激光清洗机用激光发射枪，属于激光发射枪技术领域。该激光清洗机用激光发射枪包括激光发射枪本体和移动支撑机构。所述移动支撑机构包括U型支架、夹持组件、横梁、滑块、支撑杆和固定件，所述激光发射枪本体设置于所述U型支架内侧，两组所述夹持组件分别安装于所述U型支架两侧，所述横梁设置于所述U型支架上方。转动U型支架内侧的激光发射枪本体调节激光发射枪本体与操作台上方工件之间的角度，通过转动夹持组件将激光发射枪本体夹持固定在U型支架内侧。手部握住激光发射枪本体底部的把手，使得激光发射枪本体和U型支架通过支撑杆和滑块的设置沿着横梁下方移动，即可轻松手持使用激光发射枪本体。
- 一种激光清洗发射
- [发明专利]一种空间柔性网捕装置发射展开系统-CN201310338563.7有效
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王晓慧;韩潮;万长煌
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北京航空航天大学
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2013-08-06
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2013-11-27
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B64G4/00
- 一种空间柔性网捕装置发射展开系统，由发射支架、滚筒、发射约束环、柔性网捕装置、火箭固定架、A型小火箭、B型小火箭组成；它们之间的位置连接关系是：滚筒装在发射支架的圆轴上，发射约束环组装在发射支架侧边的凸台上，A型小火箭和B型小火箭连接在火箭固定架中，而火箭固定架则安装在发射支架凸台的导槽内；发射控制器控制A型小火箭点火，牵引着四个B型小火箭沿着导轨发射，通过网角系绳将柔性网穿过发射约束环拉出，测距仪不断更新目标距离，在离目标一定距离后，B型小火箭点火，以与Ａ型小火箭速度呈一定夹角的方向发射，实现柔性网的展开，通过收口装置实现网口收缩、包覆，最后滚筒反向旋转回收柔性网。
- 一种空间柔性网捕装置发射展开系统
- [发明专利]发光模块和具有发光模块的显示设备-CN201780022414.6有效
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于尔根·莫斯布格尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;弗兰克·辛格
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欧司朗光电半导体有限公司
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2017-03-29
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2023-07-25
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H01L27/15
- 本发明涉及一种发光模块(1)，其具有：多个发射区域，所述发射区域构成为用于：在运行中发射光，所述发射区域包括至少一个第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)，所述第一类型的第一和第二发射区域发射第一色坐标的光，和包括至少一个第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)，所述第二类型的第一发射区域和第二发射区域发射第二色坐标的光；和用于对发射区域通电的操控设备(2)，其中：多个发射区域设置在共同的半导体芯片上，第一色坐标与第二色坐标不同，第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)彼此相邻，第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)彼此相邻，操控设备(2)构成为用于：将全部发射区域彼此分开地运行，操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第一类型的发射区域(101，102)，和操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第二类型的发射区域(201，202)。
- 发光模块具有显示设备
- [发明专利]一种抗总剂量辐射高压三极管结构-CN202211694146.1在审
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周锌;疏鹏;陈浪涛;乔明;张波
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电子科技大学
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2022-12-28
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2023-05-30
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H01L29/72
- 本发明提供了一种抗总剂量辐射高压三极管结构，该器件包括N型发射区、P型阱区、N型阱区、N型埋层区、P型衬底、P型注入区、浅槽隔离氧化层、N型发射极注入区、P型基极注入区、N型集电极注入区、N型注入区、金属电极；本发明通过在发射结基区一侧的表面引入高掺杂P型区，提高了发射结附近基区表面浓度，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，有效提升了三极管抗总剂量辐射的能力同时，在发射区下方引入高掺杂N型区，避免了基区表面P型区带来的器件初始共发射极电流放大系数的下降。
- 一种剂量辐射高压三极管结构
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